Компания SK Hynix из Южной Кореи намерена инвестировать 19 триллионов корейских вон, что эквивалентно 12,9 миллиарда долларов, в создание нового завода для упаковки и тестирования микросхем, предназначенных для технологий искусственного интеллекта. Строительство начнётся в апреле 2026 года и завершится в конце 2027 года. Завод будет размещён на территории технополиса в Чхонджу и займет площадь в 70 тысяч квадратных футов (примерно 6,5 тысяч квадратных метров).
Компания прогнозирует, что рынок высокопропускной памяти (HBM) будет расти на 33% ежегодно в период с 2025 по 2030 годы, что связано с растущей конкуренцией в сфере ИИ и увеличением спроса на HBM. SK Hynix — один из ведущих мировых производителей полупроводниковой памяти, специализирующийся на DRAM, NAND-flash и HBM для ИИ и дата-центров. Основанная в 1983 году как Hyundai Electronics, компания стала частью SK Group в 2012 году и имеет штаб-квартиру в Ичхоне. По данным Financial Times, в начале 2025 года SK Hynix обошла Samsung Electronics, став крупнейшим производителем DRAM с долей 36% против 34% у Samsung, укрепив свои позиции в сегменте HBM.